首页 > 商品目录 > > > > IRFB3006PBF代替型号比较

IRFB3006PBF  与  IPP024N06N3 G  区别

型号 IRFB3006PBF IPP024N06N3 G
唯样编号 A-IRFB3006PBF A-IPP024N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V 2.4mΩ
上升时间 - 80ns
Ciss - 17000.0pF
Rth - 0.6K/W
Coss - 3700.0 pF
栅极电压Vgs ±20V 3V,2V,4V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 270A 120A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 206.0 nC
Ptot max - 250.0W
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 24ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.34
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 250W
典型关闭延迟时间 - 79ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 41ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 2,000 对比
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥4.598 

阶梯数 价格
20: ¥4.598
100: ¥3.674
588 对比
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 0 对比
IPP024N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP024N06N3GXKSA1_10mm TO-220

暂无价格 0 对比
IPP024N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP024N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售